Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT10N120AG
SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT10N120AG
SCT10N120AG Hakkında
SCT10N120AG, STMicroelectronics tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı bir N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source voltajı ve 12A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürücülerde, invertörlerde ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 690mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 200°C arasında çalışabilir ve 150W güç tüketme kapasitesine sahiptir. SiCFET teknolojisi, silisyum tabanlı cihazlara kıyasla daha hızlı anahtarlama ve daha yüksek verimlilik sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 290 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 690mOhm @ 6A, 20V |
| Supplier Device Package | HiP247™ |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok