Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT1000N170
HIP247 IN LINE
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT1000N170
SCT1000N170 Hakkında
SCT1000N170, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel SiC (Silicon Carbide) MOSFET transistördür. 1700V Drain-Source gerilimi ve 7A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama görevini üstlenir. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, -55°C ile 200°C arasında çalışabilir. 1.3Ω Ron (20V Vgs'de) ve düşük gate charge (13.3nC) özellikleri sayesinde enerji dönüştürücüler, güç kaynakları, inverterler ve yüksek gerilim motor sürücüleri gibi uygulamalarda kullanılır. SiC teknolojisi, düşük kayıplar ve yüksek sıcaklık operasyonunu destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.3 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 133 pF @ 1000 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 96W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3Ohm @ 3A, 20V |
| Supplier Device Package | HiP247™ |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Vgs (Max) | +22V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok