Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCH2080KEC
SICFET N-CH 1200V 40A TO247
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCH2080K
SCH2080KEC Hakkında
SCH2080KEC, ROHM Semiconductor tarafından üretilen SiCFET (Silicon Carbide Field Effect Transistor) teknolojisinde N-Channel MOSFET'tir. 1200V yüksek gerilim dayanımı ve 40A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 117mOhm RDS(ON) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Anahtarlama uygulamalarında, invertörler, konvertörler ve elektriksel enerji dönüşüm sistemlerinde tercih edilir. TO-247-3 paketinde temin edilir ve 175°C (TJ) çalışma sıcaklığına dayanır. Gate charge değeri 106 nC olup hızlı anahtarlama özellikleri sunar. Silicon Carbide teknolojisi sayesinde yüksek verimlilik ve kompakt tasarım avantajları sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 106 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1850 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 262W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 117mOhm @ 10A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 4.4mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok