Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RZY200P01TL

MOSFET P-CH 12V 20A TCPT3

Paket/Kılıf
3-SMD
Seri / Aile Numarası
RZY200P01TL

RZY200P01TL Hakkında

RZY200P01TL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source geriliminde 20A sürekli drenaj akımı sağlayan bu bileşen, yüksek akım uygulamalarında anahtar görevi yapar. TCPT3 SMD paketinde sunulan kompakt tasarımı, yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında kullanılmaya uygundur. ±10V kapı-kaynak gerilimi ile kontrol edilebilen bu MOSFET, 150°C maksimum bağlantı noktası sıcaklığında 20W güç dağıtabilir. Güç yönetimi devreleri, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol, yük anahtarlaması ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Metal Oxide teknolojisine dayanan tasarımı, düşük kapılama direnci ve hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V
FET Type P-Channel
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 3-SMD, Flat Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 20W (Tc)
Supplier Device Package TCPT3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok