Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RZQ045P01TR

MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6

Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
RZQ045P01TR

RZQ045P01TR Hakkında

RZQ045P01TR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 4.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 35mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. SOT-23-6 (TSMT6) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 150°C işletme sıcaklığına kadar çalışabilir. Tüketici elektroniği, mobil cihazlar, pil yönetim devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. 1.25W maksimum güç saçılımı özelliği ile enerji verimli tasarımlar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2450 pF @ 6 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 4.5A, 4.5V
Supplier Device Package TSMT6 (SC-95)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok