Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RZF013P01TL

MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3

Paket/Kılıf
3-SMD
Seri / Aile Numarası
RZF013P01TL

RZF013P01TL Hakkında

RZF013P01TL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 12V drain-source geriliminde 1.3A sürekli akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. 260mΩ maksimum Rds(on) değeri sayesinde düşük güç kaybı sağlar. 4.5V gate drive voltajında optimize edilmiş bu bileşen, geçiş güç kaynakları, motor kontrol devreleri, yük anahtarlaması ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 150°C'ye kadar çalışan bu transistör, 800mW güç tüketimi ile kompakt tasarımlara uygun hale getirilmiştir. TUMT3 SMD paket içinde sunulan RZF013P01TL, düşük gate charge karakteristiği (2.4nC) ile hızlı anahtarlama gerektiren endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 290 pF @ 6 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 3-SMD, Flat Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 260mOhm @ 1.3A, 4.5V
Supplier Device Package TUMT3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok