Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RYC002N05T316
MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RYC002N05T
RYC002N05T316 Hakkında
RYC002N05T316, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 50V drain-source gerilimi ve 200mA sürekli drain akımı kapasitesiyle düşük güç uygulamalarında kullanılır. 4.5V gate-source geriliminde 2.2Ω on-resistance değerine sahiptir. SOT-23 (SST3) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, düşük güçlü sürücü uygulamaları, sinyal işleme ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 350mW güç tüketebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 26 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 350mW (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SST3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok