Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RX3L07BGNC16
NCH 60V 70A, TO-220AB, POWER MOS
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RX3L07BG
RX3L07BGNC16 Hakkında
RX3L07BGNC16, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajı ve 70A sürekli akım kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-220AB paket tipinde sunulan bu bileşen, düşük 7.2mΩ on-resistance değeri sayesinde verimliliği artırır. Gate charge karakteristiği ve input kapasitans parametreleri hızlı anahtarlama uygulamaları için optimize edilmiştir. Motor sürücüleri, güç dönüştürücüleri, anahtarlamali güç kaynakları ve ağır yük kontrol devrelerinde yaygın olarak tercih edilir. ±20V gate-source voltajı aralığında çalışır ve -55°C ile +150°C junction sıcaklığında güvenli işletme sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2600 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 96W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2mOhm @ 70A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok