Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RX3G18BGNC16
NCH 40V 180A, TO-220AB, POWER MO
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RX3G18BGN
RX3G18BGNC16 Hakkında
RX3G18BGNC16, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source voltajında 180A sürekli akım kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-220AB paket tipinde through-hole montaj için tasarlanmıştır. 1.64mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge 168nC olup, ±20V gate voltaj aralığında çalışır. 150°C junction sıcaklığında 125W güç tüketimi kapasitesine sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörler ve güç yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 168 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12000 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.64mOhm @ 90A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok