Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RW4E065GNTCL1
NCH 30V 6.5A, HEML1616L7, POWER
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 6-PowerUFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RW4E065GNTCL1
RW4E065GNTCL1 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RW4E065GNTCL1, 30V ve 6.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile N-Channel MOSFET transistörüdür. DFN1616-7 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 22.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ve düşük gate charge özelliği ile düşük enerji kayıpları sağlar. 4.3nC gate charge ve 260pF input kapasitans değerleri ile hızlı anahtarlama karakteristiği gösterir. ±20V VGS ve 150°C maksimum işletme sıcaklığında çalışabilen bu transistör, güç yönetimi uygulamaları, DC-DC konvertörler, motor sürücüleri ve anahtarlamalı güç kaynağı tasarımlarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 260 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-PowerUFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22.5mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | DFN1616-7T |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok