Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RW1E025RPT2CR
MOSFET P-CH 30V 2.5A 6WEMT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 6-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RW1E025RPT2
RW1E025RPT2CR Hakkında
RW1E025RPT2CR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 2.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 75mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 6-WEMT SMD paket tipinde sunulan bu bileşen, akış kontrol devrelerinde, power distribution sistemlerinde ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. ±20V gate voltaj aralığında çalışabilir ve 150°C'ye kadar yüksek sıcaklık ortamlarında güvenli bir şekilde faaliyet gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.2 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 480 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-WEMT |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok