Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RW1C026ZPT2CR
MOSFET P-CH 20V 2.5A 6WEMT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 6-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RW1C026ZPT2CR
RW1C026ZPT2CR Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RW1C026ZPT2CR, P-Channel MOSFET türü bir anahtarlama elemanıdır. 20V drain-source gerilimi ve 2.5A sürekli dren akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 70mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 6-WEMT SMD paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve DC-DC konvertörlü uygulamalarda yer alır. ±10V gate gerilimi kapsamı ve 150°C çalışma sıcaklığı ile endüstriyel ve tüketici elektronik cihazlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1250 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-WEMT |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok