Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RW1C020UNT2R
MOSFET N-CH 20V 2A 6WEMT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 6-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RW1C020UNT2R
RW1C020UNT2R Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RW1C020UNT2R, N-channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi, 2A sürekli drain akımı ve 105mΩ on-resistance ile tasarlanmıştır. 6-WEMT SMD paket içerisinde sunulan bu bileşen, düşük güç tüketimi gerektiren anahtarlama uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrol devrelerinde ve genel dijital lojik seviyesi anahtarlamalarında kullanılır. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığına dayanıklı olan komponent, 400mW güç disipasyonuna kapaklıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 180 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 400mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-WEMT |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok