Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RW1C015UNT2R
MOSFET N-CH 20V 1.5A 6WEMT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 6-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RW1C015UNT2R
RW1C015UNT2R Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RW1C015UNT2R, N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 1.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. 180mΩ RDS(on) değeri ile verimliliği sağlayan bu bileşen, 6-WEMT SMD paket tipinde sunulmaktadır. 150°C maksimum işletme sıcaklığında ve 400mW güç dissipasyonu ile mobil cihazlar, batarya yönetimi, düşük güçlü switch uygulamaları ve genel amaçlı elektronik devrelerde kullanılabilir. Düşük gate charge (1.8nC) hızlı anahtarlama işlemlerini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.8 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 110 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 400mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-WEMT |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok