Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RW1A030APT2CR

MOSFET P-CH 12V 3A 6WEMT

Paket/Kılıf
6-SMD
Seri / Aile Numarası
RW1A030APT2

RW1A030APT2CR Hakkında

RW1A030APT2CR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source voltaj ve 3A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 42mΩ maksimum RDS(on) değeri düşük geçiş direnci sağlar. 6-WEMT SMD paket tipinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, pil yönetim sistemleri ve düşük voltajlı motor kontrol uygulamalarında kullanılır. 150°C çalışma sıcaklığı ve 700mW güç dağıtım kapasitesi ile genel elektronik cihazlarda güvenilir çalışma sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2700 pF @ 6 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 6-SMD, Flat Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 3A, 4.5V
Supplier Device Package 6-WEMT
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) -8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok