Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RW1A013ZPT2R
MOSFET P-CH 12V 1.5A 6WEMT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 6-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RW1A013ZPT2R
RW1A013ZPT2R Hakkında
RW1A013ZPT2R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V Vdss ile tasarlanan bu bileşen, 1.5A sürekli drenaj akımına kapadir. 260mOhm (4.5V Vgs'te, 1.3A'da) maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamaları destekler. 6-WEMT SMD paketi ile yüzey montajlı PCB tasarımlarında kullanılır. Düşük geçiş kapasitanslı (290pF @ 6V Vds) ve hızlı komütasyon özelliğine sahiptir. Anahtarlama ve anahtar modlu güç kaynağı uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde ve genel analog-dijital çevirici uygulamalarında tercih edilir. ±10V Vgs ile geniş kontrol voltajı aralığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.4 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 290 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 400mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260mOhm @ 1.3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-WEMT |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok