Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RVQ040N05HZGTR
MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RVQ040N05
RVQ040N05HZGTR Hakkında
RVQ040N05HZGTR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 45V drain-source gerilimi (Vdss) ve 4A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. SOT-23-6 (TSMT6) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-direnç değeri (53mOhm @ 4A, 10V) sayesinde anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında verimli çalışır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C), hızlı açılış-kapanış hızı ve düşük gate charge (8.8nC @ 5V) özellikleriyle DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüler, yük anahtarlaması ve elektronik kontrol devrelerinde kullanılır. Maximum güç kaybı 950mW'tır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 45 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.8 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 530 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 950mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 53mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TSMT6 (SC-95) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±21V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok