Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RV8L002SNHZGG2CR
MOSFET N-CH 60V 250MA DFN1010-3W
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RV8L002SNHZGG2CR
RV8L002SNHZGG2CR Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RV8L002SNHZGG2CR, 60V drain-source voltajı ve 250mA sürekli drenaj akımı ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. DFN1010-3W yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 2.4Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük ısıl dirençli uygulamalara uygundur. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında 1W güç yayınlama kapasitesine sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, LED sürücüleri ve düşük güçlü anahtarlama regülatörlerinde kullanılır. 15pF giriş kapasitansi ve 2.3V eşik gerilimi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 250mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4Ohm @ 250mA, 10V |
| Supplier Device Package | DFN1010-3W |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok