Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RV8C010UNHZGG2CR
MOSFET N-CH 20V 1A DFN1010-3W
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RV8C010UNHZGG2CR
RV8C010UNHZGG2CR Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RV8C010UNHZGG2CR, 20V drain-source gerilimi ve 1A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-channel Metal Oxide MOSFET'tir. DFN1010-3W yüzey monte paketinde sunulan bu transistör, 470mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kaybı sağlar. ±8V gate gerilimi aralığında çalışan komponent, 150°C maksimum bağlantı sıcaklığında 1W güç tüketebilir. Mikroişlemci kontrol uygulamaları, anahtarlama devreleri, güç yönetimi ve IoT cihazlarında sürücü transistörü olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 40 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 470mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | DFN1010-3W |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok