Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RV4E031RPHZGTCR1
MOSFET P-CH 30V 3.1A DFN1616-6W
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 6-PowerWFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RV4E031
RV4E031RPHZGTCR1 Hakkında
ROHM Semiconductor RV4E031RPHZGTCR1, P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltajında 3.1A sürekli dren akımı sağlar. DFN1616-6W SMD paketinde sunulan bu bileşen, düşük 105mOhm on-state direnci ile konmutatör uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve anahtarlama sistemlerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bileşen, 1.5W maksimum güç tüketimi ile batarya yönetimi, LED kontrol ve motor kontrol uygulamalarında yer alır. 4.8nC gate charge ve 460pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.8 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 460 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-PowerWFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 3.1A, 10V |
| Supplier Device Package | DFN1616-6W |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok