Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RV4C020ZPHZGTCR1
PCH -20V -2.0A SMALL SIGNAL MOSF
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 6-PowerWFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RV4C020Z
RV4C020ZPHZGTCR1 Hakkında
RV4C020ZPHZGTCR1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel küçük sinyal MOSFET'tir. -20V drain-source gerilimi ve -2.0A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 4.5V gate geriliminde 260mΩ maksimum on-resistance (Rds On) değerine sahip olup, 1.5W güç tüketimi sınırına kadar çalışabilir. DFN1616-6W paketinde sunulan bu bileşen, yüksek entegrasyon gerektiren taşınabilir cihazlar, güç yönetimi devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±8V maksimum gate gerilimi ile geniş işletim kapasitesi sağlar ve 150°C'ye kadar çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 80 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-PowerWFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260mOhm @ 2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | DFN1616-6W |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok