Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RV3C002UNT2CL
MOSFET N-CH 20V 150MA VML0604
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RV3C002UN
RV3C002UNT2CL Hakkında
RV3C002UNT2CL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 150mA sürekli drain akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 2Ω maksimum drain-source direnç (4.5V gate geriliminde) ile verimli anahtarlama performansı sağlar. 3-XFDFN yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışan uygulamalarda, lojik seviye kontrol gerektiren düşük akım devrelerinde, güç yönetimi ve sinyal anahtarlaması uygulamalarında tercih edilir. 100mW maksimum güç tüketimi ile entegre devre tasarımlarında kompakt çözüm sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 150mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 150mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | VML0604 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok