Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RV2C014BCT2CL
MOSFET P-CH 20V 700MA DFN1006-3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RV2C014BCT2CL
RV2C014BCT2CL Hakkında
RV2C014BCT2CL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source geriliminde 700mA sürekli akım kapasitesine sahiptir. 4.5V gate-source geriliminde 300mOhm maksimum on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. DFN1006-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 150°C çalışma sıcaklığında 400mW güç dağıtabilir. Geniş ±8V gate gerilimi aralığı ve 100pF input kapasitansı sayesinde uygulamada esneklik sunur. Mobil cihazlar, pil yönetim devreleri, güç anahtarlaması ve sinyal seviyesi tercümesi gibi düşük güçlü uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 700mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 100 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 400mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 1.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | DFN1006-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok