Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RV2C010UNT2L
MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SC-101
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RV2C010UNT2L
RV2C010UNT2L Hakkında
RV2C010UNT2L, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V Drain-Source voltaj derecesi ve 1A sürekli drenaj akımı ile çalışır. 470mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük önermeli tasarımlar için uygundur. DFN1006-3 (SOT-883) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, mobil cihazlar, USB güç yönetimi, batarya yönetim sistemleri ve düşük güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 400mW güç yayılımı ve ±8V VGS voltaj aralığı ile dar alan tasarımlarında tercih edilir. SC-101 kasa standardı ile 150°C kadar işletme sıcaklığında güvenilir çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 40 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-101, SOT-883 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 400mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 470mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | VML1006 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok