Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RV2C002UNT2L
MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SC-101
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RV2C002UNT2L
RV2C002UNT2L Hakkında
RV2C002UNT2L, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET'tir. 20V drain-source gerilimi (Vdss) ve 180mA sürekli dren akımı (Id) kapasitesiyle düşük güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 2Ω maksimum RDS(on) değeri (4.5V Vgs'de 150mA'da) verimli anahtarlama sağlar. 12pF giriş kapasitanslı (Ciss) kompakt DFN1006-3 (SC-101, SOT-883) paketinde sunulmaktadır. Maksimum 100mW güç tüketimi ve -40°C ile 150°C arasında çalışma aralığıyla portföy yönetimi, sensör arayüzleri ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde yer bulur. 1V eşik gerilimi (Vgs(th)) hızlı ağ geçişi için düşük sürüş voltajı gerektirmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-101, SOT-883 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 150mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | VML1006 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok