Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RV1C002UNT2CL
MOSFET N-CH 20V 150MA VML0806
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 3-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RV1C002UNT2
RV1C002UNT2CL Hakkında
RV1C002UNT2CL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) bileşenidir. 20V drain-source gerilim kapasitesi ve 150mA sürekli drain akımı ile düşük güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 2Ω maksimum on-direnci (4.5V Vgs'de) ve 100mW maksimum güç tüketimi sayesinde verimli anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. VML0806 yüzey montaj paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uygun olup, ±8V Vgs aralığında çalışır. Düşük giriş kapasitansi (12pF) nedeniyle hızlı komütasyon uygulamalarında kullanılabilir. Tüketici elektroniği, pil yönetim sistemleri ve güç dönüştürücü devrelerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 150mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 150mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | VML0806 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok