Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RV1C001ZPT2L

MOSFET P-CH 20V 100MA VML0806

Paket/Kılıf
3-SMD
Seri / Aile Numarası
RV1C001Z

RV1C001ZPT2L Hakkında

RV1C001ZPT2L, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ve 100mA sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. VML0806 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 4.5V kapı geriliminde 3.8Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 150°C'ye kadar çalışabilme kabiliyeti ve 100mW güç tüketim sınırı ile analog anahtarlama, güç yönetimi ve genel kontrol uygulamalarında kullanılır. Düşük giriş kapasitansı (15pF) ve ±10V maksimum kapı-kaynak gerilimi bu transistörü hassas aç-kapa işlemleri gerektiren devrelere uygun hale getirir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V
FET Type P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 15 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 3-SMD, No Lead
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 100mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Supplier Device Package VML0806
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok