Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RUU002N05T106
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RUU002N05T
RUU002N05T106 Hakkında
RUU002N05T106, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 50V drain-source gerilimi ve 200mA sürekli drain akımı kapasitesiyle düşük gücü anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. SC-70 / SOT-323 SMD paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 2.2Ω RDS(on) değeriyle (4.5V, 200mA koşullarında) düşük kayıp işlemi sağlar. ±8V maksimum gate-source gerilimi ve 1V eşik gerilimi ile lojik seviye sürücülerle direkt uyumludur. Maksimum 200mW güç tüketimi ve 150°C çalışma sıcaklığıyla endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında, LED sürücüleri, güç kaynakları ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 25 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 200mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | UMT3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok