Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RUS100N02TB
MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-SOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RUS100N02TB
RUS100N02TB Hakkında
RUS100N02TB, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 10A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük on-resistance değeri (12mΩ @ 10A, 4.5V) sayesinde güç uygulamalarında verim kaybını minimize eder. 8-SOP yüzey montaj paketi ile kompakt devre tasarımlarına uygunluk sağlar. Motor kontrolü, anahtarlama güç kaynakları, LED sürücüleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±10V gate-source gerilimi ile geniş kontrol aralığı sunmakta, 150°C'e kadar çalışma sıcaklığını tolere etmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2250 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 10A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok