Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RUQ050N02TR
MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RUQ050N02
RUQ050N02TR Hakkında
RUQ050N02TR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ve 5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 30mΩ maksimum RDS(on) değeri ve düşük kapı yükü (12nC @ 4.5V) sayesinde yüksek frekans anahtarlamada etkin bir şekilde çalışır. SOT-23-6 (TSMT6) yüzey montaj paketi içinde sunulan bu bileşen, pil şarj cihazları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve genel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. ±10V kapı gerilimi aralığında ve -150°C çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | TSMT6 (SC-95) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok