Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RUQ050N02HZGTR
MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RUQ050N02HZ
RUQ050N02HZGTR Hakkında
RUQ050N02HZGTR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilim ve 5A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 30mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. SOT-23-6 (TSMT6) yüzey montaj paketinde sunulan komponent, şarj kontrolleri, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ve 950mW güç dissipasyonu özelliğiyle kompakt devre tasarımlarına uygun bir çözüm sunar. 12nC gate charge ve 900pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 950mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | TSMT6 (SC-95) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok