Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RUC002N05T116
MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RUC002N05T116
RUC002N05T116 Hakkında
RUC002N05T116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 50V drain-source gerilim (Vdss) ile 200mA sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 2.2Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama direnci sağlar. SST3 (SOT-23-3) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Özellikle portatif elektronik cihazlar, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri ve düşük güç anahtarlamalı kaynaklar gibi uygulamalarda tercih edilir. Maksimum 200mW güç tüketimiyle ve -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığıyla kompakt tasarımlarda entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 25 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 200mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SST3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok