Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RUC002N05HZGT116
MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RUC002N05HZ
RUC002N05HZGT116 Hakkında
RUC002N05HZGT116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 50V drain-source voltajı ve 200mA sürekli drain akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. SOT-23-3 (SST3) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için uygundur. 350mW maksimum güç yayılımı kapasitesi ve 1V eşik voltajı sayesinde düşük voltajlı kontrol devrelerinde sinyal anahtarlaması, lojik seviye dönüştürme ve küçük yük kontrolü gibi uygulamalarda tercih edilir. ±8V maksimum gate-source voltajı ve 25pF input kapasitansi, hızlı anahtarlama gerektiren dijital kontrol ve anahtarlama uygulamaları için uygun karakteristiklere sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 25 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 350mW (Ta) |
| Supplier Device Package | SST3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok