Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RTQ040P02TR
MOSFET P-CH 20V 4A TSMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RTQ040P02
RTQ040P02TR Hakkında
RTQ040P02TR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 4A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. SOT-23-6 (TSMT6) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 50mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 2V gate eşik gerilimi ve ±12V maksimum gate-source gerilimi ile kontrol edilir. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında 1.25W güç yayabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve gerilim regülatör tasarımlarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.2 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | TSMT6 (SC-95) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok