Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RTQ035N03HZGTR

MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6

Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
RTQ035N03HZ

RTQ035N03HZGTR Hakkında

RTQ035N03HZGTR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 3.5A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. Maksimum 54mOhm RDS(on) değeri ile düşük açık direnç sunarak enerji kaybını minimize eder. SOT-23-6 (TSMT6) yüzey monte paketinde tasarlanmıştır. Gate kapasite değeri 285pF ve gate charge 6.4nC olup hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 950mW güç yayılım kapasitesi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile endüstriyel uygulamalara uygun bir kompakt çözümdür. Motor sürücüleri, güç kaynakları ve yüksek frekans anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 285 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 54mOhm @ 3.5A, 4.5V
Supplier Device Package TSMT6 (SC-95)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok