Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RTQ025P02HZGTR
MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RTQ025P02
RTQ025P02HZGTR Hakkında
RTQ025P02HZGTR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj ve 2.5A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. SOT-23-6 yüzey monte paketi içerisinde sunulan bu bileşen, 100mΩ maksimum Ron değeri sayesinde düşük güç kaybı sağlar. Gate şarj karakteristiği 6.4nC ve giriş kapasitansi 580pF olarak belirtilmiştir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrolü gibi alanlarda kullanılmaktadır. 950mW maksimum güç dağılımı kapasitesiyle kompakt tasarımlarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.4 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 580 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 950mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | TSMT6 (SC-95) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok