Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RTQ020N05TR
MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RTQ020N05
RTQ020N05TR Hakkında
RTQ020N05TR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 45V drain-source gerilimi ve 2A sürekli drenaj akımı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. SOT-23-6 yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, 190mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge değeri 2.3nC olup, hızlı anahtarlama performansı karakterizedir. ±12V gate gerilimi aralığında çalışabilir. Düşük sinyal güç uygulamalarında, LED sürücülerinde, batarya yönetim sistemlerinde ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 45 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.3 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 150 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 600mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | TSMT6 (SC-95) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok