Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RTQ020N05HZGTR

MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6

Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
RTQ020N05

RTQ020N05HZGTR Hakkında

RTQ020N05HZGTR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 45V drain-source voltaj aralığında 2A sürekli dren akımı ile çalışabilen bu bileşen, SOT-23-6 (TSMT6) paketinde sunulmaktadır. 190mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük dirençli anahtarlama özelliği gösterir. ±12V gate voltaj aralığında güvenli şekilde kullanılabilir. Güç yönetimi, LED sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 150°C çalışma sıcaklığı ve 950mW güç dağıtma kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanım için uygundur. 2.3nC gate yükü düşük sürücü gereksinimini gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 45 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 150 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 2A, 4.5V
Supplier Device Package TSMT6 (SC-95)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok