Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RTF010P02TL

MOSFET P-CH 20V 1A TUMT3

Paket/Kılıf
3-SMD
Seri / Aile Numarası
RTF010P02

RTF010P02TL Hakkında

RTF010P02TL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 1A sürekli drain akımı özellikleriyle tasarlanan bu bileşen, düşük güç tüketim uygulamalarında kullanılır. 390mΩ maksimum RDS(on) değeri ile 4.5V gate geriliminde verimli anahtarlama sağlar. 2.1nC gate charge ve 150pF input capacitance özellikleriyle hızlı switching işlemleri gerçekleştirebilir. ±12V maksimum gate-source gerilimi aralığında çalışır. 150°C maksimum junction sıcaklığı ve 800mW maksimum güç tüketimi oranında tasarlanmıştır. Surface mount TUMT3 paket türüyle kompakt elektronik cihazlara entegre edilebilir. Güç yönetimi, motor kontrolü, batarya şarj devreleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 150 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 3-SMD, Flat Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 390mOhm @ 1A, 4.5V
Supplier Device Package TUMT3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok