Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RT1E050RPTR
MOSFET P-CH 30V 5A 8TSST
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RT1E050R
RT1E050RPTR Hakkında
RT1E050RPTR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen bir P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ve 5A sürekli dren akımı (Id) ile elektronik devrelerde anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 8-SMD yüzey montaj paketinde sunulan bu komponentin maksimum 36mOhm drain-source direnç değeri (Rds On) sayesinde düşük güç kaybı sağlar. 10V gate geriliminde çalıştırıldığında 13nC gate charge değeri hızlı anahtarlama operasyonlarına izin verir. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ile gücü kontrol eden devreler, battery management sistemleri ve motor sürücülerinde uygulanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-TSST |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok