Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RT1E040RPTR
MOSFET P-CH 30V 4A 8TSST
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RT1E040R
RT1E040RPTR Hakkında
RT1E040RPTR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilim toleransına ve 4A sürekli dren akımına sahip olan bu bileşen, düşük on-resistance değeri (45mOhm @ 4A, 10V) sayesinde güç dönüştürme uygulamalarında enerji kaybını minimalize eder. 8-TSST SMD paketlemesi ile entegre edilmiş elektronik devrelerde kullanılır. Anahtarlama hızı, gate charge değeri (20nC @ 10V) ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (150°C) ile endüstriyel ve tüketici ürünlerinde pil yönetimi, güç denetimi ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 550mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-TSST |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok