Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RT1C060UNTR
MOSFET N-CH 20V 6A 8TSST
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RT1C060UN
RT1C060UNTR Hakkında
RT1C060UNTR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajında 6A sürekli dren akımı sağlayabilen bu bileşen, 28mOhm maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük kayıpla çalışır. 8-SMD flat lead paketlemede sunulan transistör, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. ±10V gate voltajı toleransı ve 150°C maksimum bağlantı noktası sıcaklığı ile geniş çalışma aralığı sunar. 11nC gate yükü ve 870pF giriş kapasitanslı bu komponent, hızlı anahtarlama işlemleri için uygun karakteristiklere sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 870 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 650mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSST |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok