Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RT1A060APTR
MOSFET P-CH 12V 6A 8TSST
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RT1A060A
RT1A060APTR Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RT1A060APTR, P-Channel MOSFET transistörüdür. 12V drain-source voltaj ve 6A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 4.5V gate sürme voltajında 19mOhm on-dirençi (Rds On) sunmaktadır. 8-TSST yüzey montaj paketinde tasarlanmış olan transistör, maksimum 150°C sonlama sıcaklığında çalışabilir. 600mW güç saçma kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, sürücü devrelerde ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. 80nC gate yükü ve 7800pF giriş kapasitansi ile kontrol edilen anahtarlama hızı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7800 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 600mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSST |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | -8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok