Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RT1A045APTCR

MOSFET P-CH 12V 4.5A 8TSST

Paket/Kılıf
8-SMD
Seri / Aile Numarası
RT1A045AP

RT1A045APTCR Hakkında

RT1A045APTCR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi ve 4.5A sürekli akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. 30mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 4.5V gate geriliminde 40nC gate charge ve 4200pF input kapasitans özellikleri hızlı anahtarlama performansı sunar. Surface mount 8-TSST paketinde üretilen bu bileşen, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri, load switching uygulamaları ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılır. -40°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında 650mW güç tüketimi toleransı ile güvenilir çalışma sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4200 pF @ 6 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 650mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Supplier Device Package 8-TSST
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) -8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok