Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RSS100N03FU6TB
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-SOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RSS100N03FU6
RSS100N03FU6TB Hakkında
RSS100N03FU6TB, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 8-SOP yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 13mΩ on-direnci ile düşük güç kaybı sağlar. Gate eşik gerilimi 2.5V olup, maksimum 20V gate gerilimi toleransına sahiptir. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilen transistör, güç yönetimi, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. Bileşen üretimden kaldırılmış (obsolete) durumda olup, alternatif seçenekler değerlendirilmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1070 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok