Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RSS090P03FU6TB1
MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-SOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RSS090P03FU
RSS090P03FU6TB1 Hakkında
RSS090P03FU6TB1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 9A sürekli drain akımı kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılır. 8-SOP yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 14mΩ maksimum on-dirençliği (10V gate voltajında 9A akımda) ile düşük kayıplar sağlar. 4V-10V gate sürüş voltajı aralığında çalışır ve ±20V maksimum gate-source voltajına dayanıklıdır. 2W maksimum güç disipasyonu ile şarj pompası devreleri, power switching uygulamaları ve yük anahtarlama sistemlerinde yer alır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ile yüksek sıcaklık ortamlarında kullanılabilir. Bileşen artık üretimde değildir (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4000 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok