Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RSR030N06HZGTL

MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3

Paket/Kılıf
SC-96
Seri / Aile Numarası
RSR030N06HZ

RSR030N06HZGTL Hakkında

ROHM Semiconductor tarafından üretilen RSR030N06HZGTL, 60V Drain-Source gerilimi ve 3A sürekli drenaj akımı özelliklerine sahip bir N-Channel MOSFET transistörüdür. SC-96 (TSMT3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 85mOhm maksimum RDS(on) değeriyle düşük iletim kayıpları sağlar. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında 700mW güç tüketebilir. 2.5V Gate eşik gerilimi ve ±20V maksimum gate gerilimi ile geniş kontrol aralığına sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 380 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SC-96
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package TSMT3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok