Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RSR010N10TL
MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SC-96
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RSR010N10TL
RSR010N10TL Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RSR010N10TL, 100V drain-source gerilimi ve 1A sürekli drain akımı ile çalışan N-channel MOSFET transistördür. SC-96 (TSMT3) yüzey montaj paketi içinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürücülerinde ve motor sürücü devrelerinde kullanılır. 10V gate geriliminde 520mΩ maksimum on-direnci ve 2.5V eşik gerilimi ile düşük güç kaybı sunar. ±20V maksimum gate-source gerilimi toleransı ve 150°C maksimum junction sıcaklığı ile geniş çalışma aralığında işlem yapabilir. 540mW maksimum güç tüketimi ve 3.5nC gate yükü ile verimli kontrol edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.5 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 140 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-96 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 540mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 520mOhm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | TSMT3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok