Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RSQ045N03TR

MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6

Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
RSQ045N03

RSQ045N03TR Hakkında

RSQ045N03TR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ve 4.5A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. SOT-23-6 (TSMT6/SC-95) yüzey montajlı paket ile hassas, düşük güç uygulamalarında kullanılır. 38mΩ'luk düşük on-direnci (Rds On) ve 9.5nC gate yükü, anahtar uygulamalarında verimli çalışma sağlar. 600mW maksimum güç dissipasyonu ile güç yönetimi, aydınlatma denetleyicileri, motor kontrolü ve batarya yönetim sistemlerinde yer alır. -20V ile +20V arasında gate gerilimi ve 150°C maksimum junction sıcaklığı ile geniş uygulama alanına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 520 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38mOhm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package TSMT6 (SC-95)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok