Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RSQ035P03HZGTR

MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6

Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
RSQ035P03

RSQ035P03HZGTR Hakkında

RSQ035P03HZGTR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilim (Vdss) ve 3.5A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. Maksimum 65mOhm on-state direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. SOT-23-6 (TSMT6) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük sinyalli anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılır. 150°C çalışma sıcaklığına kadar çalışabilir ve maksimum 950mW güç yayabilir. 9.2nC gate charge ve 780pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 780 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 3.5A, 10V
Supplier Device Package TSMT6 (SC-95)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok